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- [发明专利]筒状针织物的编织方法-CN03820243.3无效
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冈本一良
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株式会社岛精机制作所
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2003-08-25
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2005-10-05
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D04B7/32
- 本发明通过下述步骤编织，在每个包含部分地形成有多层重叠的层叠部(4)的针织物的部分的手感没有差别，即：利用全针的线圈配置的形成第一针织物和第二针织物在其两端相连接、在第一针织物内部分地形成有两层以上针织物重叠的层叠部(4)的筒状针织物(11)的步骤；使被形成层叠部(4)的纵行线圈以及位于比形成层叠部(4)的纵行更靠针织物侧端侧的纵行线圈移动，并成为在形成层叠部(4)的纵行线圈的形成中使用的针间配置移圈用的空针的抽针线圈配置的编宽扩宽步骤(s3)；和形成层叠部(4)的纵行线圈的编织结束时，成为和形成层叠部的纵行以外的区域的线圈相同大小的线圈地形成细线圈而编织第一针织物和第二针织物的步骤(s4)。
- 针织物编织方法
- [发明专利]一种交叉开关阵列-CN202110719581.4在审
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葛宁
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特忆智能科技
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2021-06-28
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2021-09-24
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H01L45/00
- 本专利声明公开了在具有在IMT中自形成通道并且使通道与RRAM中的细丝自对准的交叉开关阵列。一种示例交叉开关阵列包括:底部电极；形成在底部电极上的细丝形成层；形成在细丝形成层上的通道形成层；以及形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时，所述通道形成层被配置成在所述通道形成层内形成通道。
- 一种交叉开关阵列
- [发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710110767.X无效
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杨永镐
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海力士半导体有限公司
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2007-06-13
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2008-07-02
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H01L21/8247
- 一种使施加到栅极氧化物层或隧道氧化物层的应力最小的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述衬底中形成有包括字线的半导体器件；在包括字线的衬底的整个表面上形成覆盖层，所述覆盖层包括具有压缩特性的第一绝缘层和具有拉伸特性的第二绝缘层；和在覆盖层上形成层间绝缘层。在另一方面，该方法还包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底中形成有包括字线的半导体器件；通过交替地形成PECVD方法的第一绝缘层和LPCVD方法的第二绝缘层，在包括字线的整个表面上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成层间绝缘层
- 制造半导体器件方法
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